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    静态二次离子质谱(TOF-SIMS)

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    二次离子质谱 (SIMS) 技术详解:分析与应用 二次离子质谱( Secondary Ion Mass Spectrometry , SIMS ) 是一种用于深度分析样品表面和亚表面结构的分析技术 ;它通过将样品表面溅射出二次离子,然后利用质谱仪分析这些离子的质量和浓度,从而获取样品表面和亚表面的...

    2024-09-29

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    2024-01-19

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    2023-12-14

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    2023-12-14

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    表面分析利器——TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪

    TOF-SIMS(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)是通过用一次离子激发样品表面,打出极其微量的二次离子,根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。 TOF-SIMS具有极高分辨率,可以提供表面...

    2023-12-11

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    TOF-SIMS几种不同溅射源的选择

    TOF-SIMS最早应用于静态SIMS,但随着技术的发展迭代,TOF-SIMS也配备了溅射源,用于深层界面的分析和深度剖析。目前用于溅射的主要有双束离子源(DSC)、气体团簇离子源(GCS)、FIB三种,本文将以M6为原型介绍这三种溅射源的性能、参数和实际应用。 双束离子源(DSC O2/Cs) ...

    2023-12-11

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    一文认识TOF-SIMS

    一、 TOF-SIMS的原理及特点 飞行时间-二次离子质谱仪(TOF-SIMS),是一种 非常灵敏的表面分析技术 。它利用一次离子激发样品表面微量的二次离子,根据二次离子飞行到探测器的时间不同来测定离子质量。由于TOF-SIMS中离子飞行时间只依赖于它们的质量,故其一次脉冲就可得到一个全谱,离子利...

    2019-10-25

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    一文读懂D-SIMS

    动态-二次离子质谱(D-SIMS)用气体等离子源轰击样品,使样品表面原子、分子或离子等溅射出来,用质量分析器接收溅射出的二次离子,通过分析其质荷比(m/z)获得二次离子质谱。由于D-SIMS的离子源为高密度离子束(原子剂量10 12 ions/cm 2 ),对样品的溅射作用大,故是一种破坏性分析。...

    2019-10-25

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