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项目介绍

动态二次离子质谱(D-SIMS)用气体等离子源轰击样品,使样品表面原子、分子或离子等溅射出来,用质量分析器接收溅射出的二次离子,通过分析其质荷比(m/z)得到的二次离子质谱。

相比TOF-SIMS,D-SIMS有更强的深度分析能力,分析深度能达到5~10μm,且剖析过程中可以连续测试元素信息;深度分辨率和检出限比TOF高很多,分析面积100、200、300μm见方居多,面积越大溅射速率越慢。

样品要求

样品要求:以固态薄层、表面平整材料为主,比如衬底或者薄膜;粉末、已封装或者有结构之类的特殊样品需要进行适当制备;

1. 尺寸要求:5~10mm之间,厚度不超过1mm,真空保存,标记清楚测试面;

2. 分析面积100、200、300μm见方居多,面积越大溅射速率越慢;

3. 分析深度一般在5μm之内,但不超过10μm;

4. 部分样品可以定量分析(比如:常见的硅中各种掺杂B、P、As等,各类化合物半导体及其多层结构等),取决于是否有合适的标准样品。

项目案列

D-SIMS原位测试

网格硅的SIMS图谱和Mapping成像

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