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RIE反应离子刻蚀

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项目介绍

RIE反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。

它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，

同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。

主要用于Si、SiO2、SiNx、半导体材料、聚合物、金属的刻蚀以及光刻胶的去除等，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。

样品要求

1.样品载物台最大可放置 8 寸硅片；小样品只要可放在载物台亦可；

2.样品可以是多晶硅栅电极，石英材料，锗材料等；

3.若需进一步沟通，请联系技术老师。

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