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二次离子质谱大科普！TOF-SIMS实例分析

二次离子质谱大科普！ TOF-SIMS 实例分析二次离子质谱（ Secondary Ion Mass Spectrometry ， SIMS ）是一种非常灵敏的表面分析技术，通过用一次离子激发样品表面，打出的二次离子因质量不同而飞行到探测器的时间不同，实现不同元素、同位素及分子结构的探测。一、...

2024-01-19

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表面分析利器——TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪

TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）是通过用一次离子激发样品表面，打出极其微量的二次离子，根据二次离子因不同的质量而飞行到探测器的时间不同来测定离子质量的极高分辨率的测量技术。 TOF-SIMS具有极高分辨率，可以提供表面...

2023-12-11

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TOF-SIMS几种不同溅射源的选择

TOF-SIMS最早应用于静态SIMS，但随着技术的发展迭代，TOF-SIMS也配备了溅射源，用于深层界面的分析和深度剖析。目前用于溅射的主要有双束离子源（DSC）、气体团簇离子源（GCS）、FIB三种，本文将以M6为原型介绍这三种溅射源的性能、参数和实际应用。双束离子源（DSC O2/Cs） ...

2023-12-11

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一文认识TOF-SIMS

一、 TOF-SIMS的原理及特点飞行时间-二次离子质谱仪（TOF-SIMS），是一种非常灵敏的表面分析技术。它利用一次离子激发样品表面微量的二次离子，根据二次离子飞行到探测器的时间不同来测定离子质量。由于TOF-SIMS中离子飞行时间只依赖于它们的质量，故其一次脉冲就可得到一个全谱，离子利...

2019-10-25

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